Como si la memoria flash NAND no fuera lo suficientemente rápida, las dos empresas decidieron llevar su velocidad a un nuevo nivel, anunciando una tecnología flash NAND que es cinco veces más veloz que la actual: 200 MB/seg. para lectura y 100 MB/seg. para escritura.

Fuente: ITSitio.com

La nueva tecnología de memorias flash NAND de Intel y Micron logra velocidades de lectura de 200 MB/seg. y de escritura de 100 MB/seg., mientras que las tecnologías NAND actuales, con celdas de único nivel, logran 40 MB/seg. para lectura y 20 MB/seg. para escritura.

Esta quintuplicación en las velocidades se hizo posible al menos en parte gracias a los nuevos estándares ONFI 2.0, los cuales –según explica el Open NAND Flash Interface Working Group– reducen el tiempo requerido para transferir datos desde y hacia el buffer de datos, usando señalización Double Data Rate y relojes sincrónicos que hacen posibles las mayores frecuencias.

Estas especificaciones, combinadas con una arquitectura de cuatro planos y mayores velocidades de reloj, ayudarán a Intel y a Micron a producir los chips NAND más veloces del mundo.

“Estamos trabajando con un ecosistema de habilitadores clave y de socios para construir y optimizar las tecnologías de sistema correspondientes que aprovechen sus capacidades de performance mejoradas”, dijo Frankie Roohparvar, vicepresidente de desarrollo NAND en Micron. “Micron está comprometida a la innovación en NAND y a diseñar nuevas características en la tecnología que creen una solución poderosa de almacenamiento de datos para los dispositivos electrónicos e informáticos más populares de la actualidad”.